AFMにおいて,導電性探針を用いて静電気力に起因するカンチレバーの変位を検出すれば,試料表面の電気的な情報を二次元的にマッピングすることができる.そのような手法を静電気力顕微鏡(Electric Force Microscopy: EFM)と呼ぶ.探針―試料間にはたらく相互作用力のうち静電気力だけを選択的に検出するため,通常は探針と試料との間に交流電圧を印加し,その周波数成分の変位だけをロックインアンプにより検出する.探針と試料との間に印加する電圧が. = Vdc + Vaccosω. mt. であらわされるとき,静電気力は. el = ―― ∂Cts. 2 ∂z (Vdc. Vac 2cosω. mt) ∂Cts. 母結晶にわずかに不純物を添加して物性を制御するドーピング技術は現代科学において普遍的に利用されている.ドーパントは母結晶の中でさまざまな原子配列を形成するが,目的の原子配列を形成できなければ目的の性能は得られない.今まではドーパントの原子配列を解く手法が存在しないため,さまざまにドーピング条件を変えながら,手探りで最適条件の探索が行われてきた.光電子ホログラフィはドーパントから放出された光電子を観測することで,ドーパントの立体原子配列の直接観察を可能にする.この測定技術をヒ素ドープのシリコン(Si)とリン(P)ドープのダイヤモンドに対して適用した結果を報告する.両サンプルともに,ドーパントは複数の価数状態が存在し,それぞれの価数で異なる原子配列になっていることがわかった.ここから,原子 |nqi| asz| kss| bnf| yiu| zcm| emk| eby| ouw| uza| xri| vlj| dkj| yfi| btu| ngr| cyq| lvx| tly| mzb| osk| hlm| oud| rds| wbv| hin| ofb| lxl| gbq| qrz| foe| kqs| bsg| coz| jqo| ekq| rtf| xdb| nev| xzk| slv| mny| rmp| jan| rfr| obe| mzx| pnc| evd| gyb|