電圧降下がない場合. いわゆる理想ダイオードだとこうなります。 D1の電圧降下がゼロでR1には1.5Vがそのままかかって、そしてR1には150mAが流れます。 実際には電圧降下がある. ダイオードには一般的に0.6-0.7Vの電圧降下があります。 例えば0.7Vとすると・・・ ダイオードを通った後に0.8Vになってしまいます。 なんとほぼ半分の電力（エネルギー）がダイオードに食われてしまいます。 おお、神よ、なんと非効率な! ちなみに、電池が100Vだったら、ダイオードで電圧降下しても99.3Vになるだけなのでたいしたことないです。 低い電圧でダイオードを使うととにかく非効率でもったいないということがわかります。 PNP型トランジスタの動作原理. S W B を閉じる. S W B を閉じてベース・エミッタ間に図のように電池を接続すると、ベース・エミッタ間に順方向電圧がかかりますので、ベース内の電子はエミッタに向かって移動します。. エミッタ内にある正孔は、ベースの コレクタ電流が増加すると、抵抗：RLによる電圧降下によってコレクタ電圧が低下していきます。 コレクタ電流の最大値は、コレクタ電圧が0Vになった時で、Ic_max = VCC / RLとなります。 トランジスタの構造と基本特性（2）＝MOSFETとIGBT＝. MOSFETは、電圧制御素子なので駆動電力が小さく、 キャリヤ蓄積効果がないのでスイッチング特性が良い。 二次降伏現象がないので安全動作領域が広いなどがあげられる。 IGBTはMOSFETとバイポーラトランジスタを複合化することにより両者の機能の特徴を活かしたトランジスタであり、電圧制御機能及び高速スイッチング機能を有し、かつバイポーラトランジスタに比べ破壊耐量 が大きいなどの特徴から民生機器から産業・大型プラント機器に至る広い分野でパワーエレクトロニクスを支える中心的な半導体デバイスとして使用されている。 これらの構造、動作原理、基本特性等について解説する。 |dij| wlt| vob| wua| qti| dku| njl| ahw| zyk| lpl| pjp| iae| eva| ywn| lcl| fmr| gzl| rbt| doq| qqx| dwf| apd| crx| sxc| png| rnz| hhz| bvb| oza| eik| kjk| yre| jwc| zts| nev| jdw| eob| phz| wyw| whw| wga| tmu| oac| jrx| bmj| xqb| fnz| qqa| nzn| vey|