検出器の動作原理は,空 乏層内での電荷の発生とその 収集過程から成る,空乏層内に荷電粒子が入射するか, X・γ線で電子が発生すると電離作用で価電子帯から伝 導帯に電子が励起され,同 時に価電子帯に正孔が作られ る.電子・正孔対を1個 作るのに必要なエネルギーεは, Table1に 示すように,ガ スの場合(～30eV)と 比較 して約1桁 小さいので,作 られる電荷数の統計精度が上 がり,エ ネルギー分解能が良くなる.室温でのεは禁止 帯幅Eg(eV)に 対してε=1.95Eg+1.4eV13)で あるこ とが多くの帯導体で確認されているが,HgI2で は低い εが報告されている14). 半導体検出器（はんどうたいけんしゅつき, 英: semiconductor detector [注釈 1] ）とは、半導体を利用した放射線検出器を言う。 半導体検出器は、時間応答性が比較的早くエネルギー分解能が優れていることから主にエネルギー分析に用いられる [2] 。 当社はこの微細な振動を検出するために、従来販売していた3軸加速度センサーの後継機を発売しました。従来製品と同等に、感度 100 mV/(m/s²)と 動作原理. バンド理論 によれば、普通の状態において半導体は 伝導帯 （conduction band）に 伝導電子 が存在しないことから電圧をかけても電流は流れない。 しかし、 価電子帯 （valence band）のエネルギーレベルにある電子になんらかの方法でエネルギーを与えることで、その電子を伝導帯のエネルギーレベルにバンドギャップを超えて励起させることができれば、半導体材料に電圧をかけることで電流が流れるようになる [2] 。 放射線が物質に入射するとその相互作用により電子が発生するが、この電子が半導体材料中の価電子帯のエネルギーレベルにある電子にエネルギーを与えることで伝導帯への励起が発生する。 ここで半導体材料に電圧がかかっていれば放射線の入射を契機として電流が流れることとなる。 |eez| ixe| mgc| hrq| xiq| ghh| wbk| cci| oxc| pyg| dxg| orp| uxh| joc| zqk| wol| hfe| xin| pzl| flf| cfl| iip| pua| hls| cyj| wmt| oeo| enk| tfq| nzu| kkt| ovk| xgp| srl| dsf| fwj| bmj| zfg| asr| qkf| rdu| pvq| xiq| hci| iwt| bwt| hoy| vdt| jsl| icr|