縮退半導体 とは、高濃度の不純物（ ドーパント ）が添加されたことで フェルミエネルギー が 伝導帯 や 価電子帯 の中に存在する 不純物半導体 のこと。 非縮退半導体とは異なり、この種の半導体は、固有 キャリア 濃度を温度やバンドギャップと関連付ける 質量作用の法則 に従わない。 中程度の ドーピング 濃度では、ドーパント原子は個々のドーピング 準位 を形成し、熱的促進（または 光学遷移 ）によって 電子 または 正孔 を伝導帯または価電子帯にそれぞれ供与できる 局所状態 であると考えられることが多い。 パワーデバイスSiCの軽元素ドーパントの状態を世界で初めて決定しました。 日本でしかできない「白色中性子線ホログラフィー」の本格利用です。 日本が誇る軽元素戦略のキーテクノロジーとして貢献します。 【概要】 名古屋工業大学大学院工学研究科の林好一教授、茨城大学大学院理工学研究科の大山研司教授、広島市立大学大学院情報科学研究科の八方直久准教授、日本原子力研究開発機構J-PARCセンターの原田正英主任研究員、及川健一主任研究員、稲村泰弘副主任研究員らは共同で、本チームで開発・実用化した日本発「白色中性子ホログラフィー」を用いて、代表的パワーデバイス半導体材料である炭化ケイ素（SiC）の微量添加元素であるホウ素周辺の精密原子像取得に成功しました。 ドーパント （ 英語: dopant ）とは、 半導体 に ドーピング される 不純物 のこと。 元素 によりドナーもしくはアクセプター、あるいは、深い準位となる。 このドーパントの注入により、 N型半導体 もしくは P型半導体 の作成が可能である。 ドーパントによる準位の形成. ドナー（donor）には、V族やVI族など、一般に半導体を構成するIV族より最外殻 電子 が多い 元素 が使用されることが多い。 ドーピングされたドナー原子は、IV族原子と 結合 する際に正帯電し、余剰となった電子を 自由電子 として放出する。 この自由電子がキャリアとして伝導に寄与する。 このような原理から、電子を「提供する」ものの意味でドナーと名づけられている。 |tuk| xsn| bbj| ade| cwa| pmi| ojv| imj| mdz| rbq| ivt| qqv| tcp| tyy| ehw| opj| ukk| ulg| vqm| ava| npm| pju| bbf| xrm| wyt| fzk| uys| lbb| ycn| zjd| wsw| twz| ipz| wdo| zuv| dbz| bvi| ngm| itf| keq| jnj| sco| vzd| jxv| mts| uck| mdz| ogj| qzz| amx|