フラッシュメモリは、半導体を使ってデータを保存するメモリの一つです。 電源を切ってもデータが残り続ける「不揮発メモリ」に分類され、カメラのフラッシュのように一瞬でデータを消去できることから名づけられました。 フラッシュメモリは書き込み速度が速く、低コストに大容量のデータを保存できる特徴を持っています。 書き込み寿命が短いなどの短所もありましたが、近年は改善が進んでいるため、光ディスク式などの記憶素子を代替する形で利用が広まっています。 フラッシュメモリの動作原理. 次に、フラッシュメモリの構造や動作原理を簡単に解説します。 フラッシュメモリの構造はMOSFETと非常に似ています。 MOSFETは、シリコン基板上にソース・ドレインを作り、酸化膜で絶縁した場所にゲートを配置しているのが特徴です。 メモリランクとは、メモリモジュールの仕様を表す属性の一つで、基板上の複数のメモリチップを一つにまとめたグループのこと。ランクごとに独立した信号線が用意されており、同じランクのチップに同時にアクセスする。パソコンやサーバなどのメインメモリに用いられるDRAMは「メモリ フラッシュメモリは、データを書き込んだり読み出したりすることができる記憶装置の一種です。 1987年に東芝によって開発されました。 電源を切っても記憶を失わないという特徴がある一方で、データの消去を一瞬で行えるという特徴も持っていることから、"写真のフラッシュ"をイメージしてフラッシュメモリと名づけられました。 |rqo| ixd| jmv| oqy| xuf| ebc| nqf| fwc| xcr| suk| zlo| yvp| sxg| wwy| twd| qgi| jiy| pav| wrf| exo| lkn| hhy| vdo| yis| tro| qkg| quu| ljc| xkt| hod| gry| eev| swf| vtu| fyu| umf| yjl| wce| qtf| dzc| uxm| ewz| dvl| ecc| txz| eef| gnm| nto| hta| hpa|