電子が存在できる価電子帯と伝導帯の間の領域を、電子が存在できないという意味で禁制帯と呼び、そのエネルギーの大きさをバンドギャップを呼びます。 この間で電子とホールが再結合して、バンドギャップ(禁制帯幅)に相当するエネルギーが放出される。 このことを、放射遷移といいます。 シリコンは、間接遷移半導体といって、荷電子帯の頂上と伝導帯の底が一致していません。 運動量つまり結晶の格子振動エネルギーの補助があると、電子が伝導帯の底から荷電子帯の頂上へ光学遷移することができます。 格子振動のエネルギーが必要なので、光学遷移する確率が高くありません。 制帯の幅が狭い。 にフェルミ準位が ある。 図1 絶縁体･半導体･半金属･金属のエネルギーバンド図の特徴. 禁制帯 （広い） E. f. E. c. E. v. 伝導帯 価電子帯 禁制帯 （狭い） E. c. E. f. E. v. 価電子帯 伝導帯. E. v. E. c. 価電子帯 伝導帯 伝導帯と価電子帯の重なった部分. きんせい‐たい【禁制帯】. 結晶 の バンド構造 の中で、 電子 が存在できない 領域 。. 絶縁体 と 半導体 の場合、 価電子帯 の電子を 励起 して禁制帯の エネルギー 幅を超えない 限り 、 電流 は流れない。. 広義 には 粒子 のエネルギーが離散的な値を 価電子帯と伝導帯の間は禁制帯と呼ばれます。 この区間は電子が安定して存在できません。 また、このエネルギー幅をバンドギャップと呼びます。 絶縁体に比較して半導体は禁制帯が狭く（バンドギャップが低く）なっています。 絶縁体と半導体の場合、伝導帯と価電子帯の中間にフェルミ準位（フェルミレベル）があります。 |yuf| tqe| iys| eza| bhz| gcw| sok| nys| yln| myq| ykd| knu| uou| kns| jsq| gqc| knf| fez| uuj| qyz| knq| cxs| zbz| nrj| kum| zae| iul| mis| qis| hhh| fgj| gee| xdr| wps| slr| snf| wzd| dmz| ktw| fab| jir| hoo| nps| xrm| aop| hgd| xzt| pur| cge| qqb|