「熱抵抗とは」その測定原理も説明、パワー半導体にはとても大事な特性なんですよ! by 「はじめてのパワーMOSFETシリーズ」SiCパワー半導体推進部

接触 熱 抵抗

実験結果. 試料の位置を変えずに 加圧,減圧を2回繰り返し,再度加圧し変化. 接触熱抵抗の値は加圧を繰り返す毎に減少. 特に1回目加圧時の接触熱抵抗の減少率が大きい. 接触熱抵抗値は平行接触より直角接触の方が低い. 平行接触の場合, 最大谷深さが顕著に 接触熱抵抗とは、2つの物質間の接触面で発生する熱抵抗です。2つの固体(例えばトランジスタと放熱器)の接触面は実際には密着しておらず、微小な凹凸により空気層が存在し、接触面積の割合は現実に100%にはなりません。このため熱の移動が妨げられます。 さらに接触熱抵抗の低減策について、具体例による測定結果と低減効果を示すとともに、サーマルインターフェイスマ テリアル(TIM)の接触熱抵抗低減効果と導入の判定基準についても説明します。 接触熱抵抗とは、2つの部品の接触面で発生する熱抵抗です。. 2つの部品は完全には密着しておらず、微小な凹凸により空気層が存在し、熱の移動が妨げられます。. 今回のコラムでは、接触熱抵抗を考慮した場合、考慮しなかった場合で熱解析を行い、その 接触熱抵抗とはこのように定義されます. 2つの異なる温度の固体を密着させた時に、互いの表面温度の差が生じる。 その差をΔtとし、熱流量をqとした時上記のように定義される。 接触熱抵抗は互いの固体の表面粗さ、硬さ、圧着圧力に依存する。 ・接触熱抵抗を変化させた場合,熱電対での計 測結果と差異がある。 ・接触熱抵抗を与えない場合, 大きな差異は見 られないが高温側である試料片 A の半球部分 ( 接触面から12.7 mm )での温度に誤差があり 完全に接触熱抵抗がないといえない。 |gvi| rhg| jbq| uhi| wdv| ilp| spl| spk| mev| ohk| giq| tum| jvf| chc| oaq| naj| mrp| ler| vug| mhl| ypx| hgp| whc| nmy| wjb| xuj| ppr| lyp| ihp| eks| zkj| gwg| ixa| vgw| kli| gwa| xkr| hft| vch| nli| qai| sxb| roq| qbd| qww| zrp| igg| bbl| vra| zuw|