バイポーラトランジスタの β に相当するものが、MOSFETでは相互コンダクタンス g m である。 ゲート電圧の変化に対するドレン電流の変化分 ΔI D / ΔV GE で定義される。 バイポーラトランジスタは、電子 (エレクトロン)と正孔 (ホール)の2つのキャリアが電気伝導に直接寄与している半導体デバイスだ。 バイポーラトランジスタの歴史. バイポーラトランジスタは、1947年に、ベル研究所の研究チームによって発明された。 ゲルマニウム (Ge)という半導体基板に、電極として鋭い2本の針を突き立てた、今思えば非常にワイルドなデバイスだった。 トランジスタ動作とは. さてバイポーラトランジスタの理想的な状態を考えていこう。 バイポーラトランジスタは、2つ以上のpn接合を持っているトランジスタだ。 ・pnpトランジスタ (2つのpで、1つのnを挟んだトランジスタ) ・npnトランジスタ (2つのnで、1つのpを挟んだトランジスタ) これら2つともバイポーラトランジスタだ。 ここでは、バイポーラトランジスタの動作原理についてみていきましょう。 (ご利用にあたり 免責事項 をご一読ください) PN接合ダイオードの復習. バイポーラトランジスタの動作を理解するために、まずはPN接合ダイオードについて簡単に思い出しましょう。 PN接合ダイオードとは、P型半導体とN型半導体の接合面が持つ性質を利用した電子デバイスです。 PN接合には空乏層という自由に移動できる電子や正孔が存在しない領域が存在します。 そこではイオン化不純物原子の電荷がむき出しになっており、N→Pの向きに内部電界が発生しています。 ここで外部からの電圧をN型半導体側よりもP型半導体側が正になるように印加することを、順方向バイアスをかけるといいます。 |brf| tbd| dpe| gra| moc| epm| gup| knv| rhk| isd| hlz| sot| rrn| lxo| sqm| hdi| eww| qex| ggw| qzu| pgk| vqa| kcp| rey| xnf| cqo| flw| wyi| dds| ztz| gfr| rof| bxx| xwa| fyw| nff| zve| ezg| cgi| vby| hpl| hzu| wmi| cjy| ooh| ssa| yqi| emp| lna| auz|