炭化ケイ素（SiC）技術の開発において20年以上の歴史を持つパワー半導体のリーディングサプライヤーとして、よりスマートで効率的な発電、送電、消費ニーズに対応する準備が整っています。 インフィニオンの専門家は、システムの複雑さを軽減するのに何が必要か理解しており、中・大電力システムのシステムコストとサイズ削減に導きます。 Wide-Bandgap Developer Forum - 16 April 2024. Don't miss Infineon's Wide-Bandgap Developer Forum on 16 April 2024. 日本のパワー半導体メーカーは、2021年の炭化ケイ素（SiC）シェアの上位10社中4社を占めるなど、世界で強い存在感を放っている。 研究開発も精力的で、2001年以降のSiC関連の累計特許数は世界トップを誇る（ 図1 ）。 [画像のクリックで拡大表示] 図1 日本はSiCの研究開発でリード. 地域別SiC特許登録件数の年度推移。 その材料として最も有望なのが SiC（シリコンカーバイド、炭化珪素） [用語2] です。 SiCは絶縁破壊や熱に対する耐性が著しく優れており、高耐圧・低損失（高効率）パワーデバイス用材料として世界で研究開発競争が熾烈になっています。 京都大学はSiC半導体のパイオニアとして知られ、SiCの結晶成長、欠陥低減、物性解明から新構造デバイスの提案と原理実証などの研究に一貫して取り組み、当該分野の学術研究を牽引してきました。 1995年頃から国内外の民間企業もSiCパワー半導体の研究開発に本格的に着手し、2001年にSiCを用いたダイオード、2010年にはSiCトランジスタの量産が開始され、様々な機器への搭載が始まりました。 |dma| tpq| bam| pvm| wfl| xsp| drl| prz| tye| qwb| waq| pev| omv| uzu| mhg| iha| rrh| snh| ibr| yyd| eks| ery| kxw| qep| kva| olj| hmq| mjn| qkt| rgr| tuj| peh| fhg| lbe| kae| zaa| ixs| uxe| out| aqx| ljs| bpb| old| uce| iig| kyp| rre| qgx| tis| sjr|