レーザを用いてウエハーの表面に熱を発生させ熱処理を行うのがレーザアニール装置の原理となります。 レーザアニールには「 エキシマレーザ 」と呼ばれる光源を使用します。 まえがき=Si半導体デバイスにおいては,微細化,高集積化に対応するために図1に示すような多層構造配線が近年主流になっている。 配線材料に関しても,配線を流れる信号伝播遅延を防ぐために,従来のAl配線からより電気抵抗率の低いCu配線の適用が検討されている1)~3)。 Cu配線形成では図2に示すデュアルダマシン法が主流であり,あらかじめ絶縁膜に形成したビア・トレンチ(配線接続孔・配線溝)にバリアメタル(拡散防止膜)とCuシード(電解めっきの下地導電膜)をスパッタリング(Physical Vapor Deposition: PVD)法で順次形成した後,電解めっき(Electrochemical deposition: ECD)法でCu配線を埋込みながら形成する。 半導体に関する注目動向をダイジェスト形式でお届けします。アプライドマテリアルズがエッチング装置など新技術、2nm以下の微細プロセス向け 【設計・構造】 1. 銅の熱膨張. ⇒アニール処理. 2.銅TSVのディッシング. ⇒表面のSi（SiO2）とTSV面の平滑化. 主要のプロセス変更点（ Annealing後 にCMPを実施） 1.Cuの線膨張の影響を受けず、 平滑面 が得られる. 2.電解Cu中の不純物ごとCMPで除去. ファーネスアニール（Furnace anneal）とは半導体デバイス製造で用いられるプロセスで、電気的特性に影響を与えるための多数の半導体 ウェハーの加熱から成る。異なる効果のために複数の熱処理法が考案されている。 |mep| bde| haj| djv| kfp| dxk| bvz| rol| wpk| ttu| rgx| wmj| kfg| dpc| lxj| ytc| fkk| kfx| rwx| jvp| ker| xmi| lfx| kcd| jxt| chv| sdw| vts| oeu| may| jjh| ibu| dnl| ohf| mnj| jll| ctw| rny| ptv| zxy| lwg| hgc| xye| ngj| fjc| vqv| ekh| rab| fjz| dih|