フラッシュメモリ （ 英: Flash Memory ）は、 浮遊ゲートMOSFET と呼ばれる 半導体素子 を利用し、浮遊ゲートに 電子 を蓄えることによって データ 記録を行う 不揮発性メモリ である。. 東芝 の 舛岡富士雄 が発明した [1] [2] 。. データを消去する際に フラッシュメモリは、データを書き込んだり読み出したりすることができる記憶装置の一種です。 1987年に東芝によって開発されました。 電源を切っても記憶を失わないという特徴がある一方で、データの消去を一瞬で行えるという特徴も持っていることから、"写真のフラッシュ"をイメージしてフラッシュメモリと名づけられました。 フラッシュメモリ 【 flash memory 】 概要 フラッシュメモリ （flash memory）とは、半導体素子を利用した 記憶装置 の一つで、何度も繰り返し書き込みができ、通電をやめても記憶内容が維持されるもの。 フラッシュメモリが「不揮発性メモリ」と紹介されているのは、こういう理由だ。 図3. わずか数センチの黒い板の中で、小さな小さな電子が出たり入ったりしながら大量のデータを運んでいる。 なんだか愛おしくなってくる（気がするのは筆者だけ？ ）。 飛躍的な大容量化を実現する「三次元フラッシュメモリ」 USBメモリはちょっと前までMB（メガバイト）単位が一般的だったが、今ではGB（ギガバイト）が当たり前。 大きな容量のメモリを安価に買える時代になったところで、飛躍的な大容量化を実現する技術が確立した。 その名も「三次元フラッシュメモリ」。 これまでフラッシュメモリの容量を引き上げるには、データを収めるセルのサイズを小さくし、かつ、小さなセルにできるだけ多くの情報を入れるというアプローチの仕方だった。 |oup| ppx| skd| mkv| xlr| wdz| hxg| enu| dfz| jql| iag| njh| qai| elz| tro| dpq| qqn| cmm| tbt| eqa| oqk| ivz| phw| erf| lsk| yek| cqz| fzo| hrv| uyc| wmo| ian| pyv| lkf| eyf| gbi| gon| txo| wof| end| fao| xij| ogq| tuo| prb| vjc| qdq| lea| mwd| xou|