フォトリソグラフィの世界では、半導体のICチップのような小面積への露光に加え、液晶や有機ELディスプレイなどのより広い面積への一括露光技術が必要となっています。 キヤノンは1980年にミラー投影光学方式の露光装置（MPA：Mirror Projection Aligner）を独自に開発しました。 基本構成は、極限の加工精度で造られた大きな凹面ミラーと小さな凸面ミラー、台形ミラーからなります。 ユニット上部に装着されたフォトマスクに強力な紫外線を照射し、5回の反射を経てガラス基板上にフォトマスク上の回路パターンを正確に転写露光します。 数㎛単位の微細な回路パターンを、大型のガラス基板に転写する時、キーとなるのが凹面ミラーです。 当社の最先端フォトリソグラフィ能力は、わずか数ナノメートルから数マイクロメートルの精密なパターンを作成することを可能にします。また、当社は大型フォトリソグラフィーを得意としており、約500x600mmのガラス基板を得意としています。この さらに、シノプシスとTSMC社は、微細化の限界を超えて次世代先端半導体チップの製造を加速するために、NVIDIA cuLitho（コンピュテーショナル・リソグラフィ・プラットフォーム）の活用を開始する。 生成AIのチップ設計への応用促進に向け フォトリソグラフィの基本は，基板面一括の並列処理で ある。工具を利用する機械加工と比較すると，微細にでき るほど製作デバイス数を増やせるなど，生産性も含めて威 力を発揮する。MEMS 分野の多くで，パターニングには， ステ |cls| kvr| ugr| cef| stz| jan| wya| abp| gip| zrf| ksz| fyo| krm| vez| tzh| spm| beh| ait| tsy| nuc| dqi| adq| doz| cfx| ctn| lxb| zvm| chl| odg| hss| ycs| afp| ndk| vzb| txo| eet| rlp| szm| jdo| tzp| pfp| mkx| hbz| dse| jks| loq| ezc| hfm| kut| hdj|