光電効果（ こうでんこうか 、 英: photoelectric effect） とは、 物質 に 光 を照射した際に、 電子 が放出されたり 電流 が流れたりする現象である。 デジタルカメラ や 太陽光発電 の動作原理として広く利用されている。 外部光電効果と内部光電効果の二種類があり、単に光電効果という場合は外部光電効果を指す場合が多い。 内部光電効果は、 光起電力効果 とも呼ばれる 。 外部光電効果 ：金属等に光を照射すると光電子が飛び出す. 物質に光を照射すると、光と電子の相互作用によって、光のもつエネルギーが電子に与えられ、電子（ 光電子 ）が物質の表面から放出される。 この現象を 外部光電効果 、または単に光電効果と言う。 photovoltaic effect. 光の照射によって物体中に 起電力 が発生する現象で，半導体などの界面で起こるものをいう．これには，同一半導体のp型とn型の接触による p-n接合 部 (同質 接合 )，異なった半導体の接触による接合部 (異質接合)，半導体と金属の接触であるショットキー接合部などによるものがある．. 本記事の内容. 本記事では、 n型半導体・p型半導体・真性半導体 について解説しています。 材料・エネルギーバンド図. キャリア密度. フェルミ準位. 真性半導体の材料. 真性半導体（intrinsic semiconductor） は、 不純物を含まない半導体 のことです。 材料として、 Si （シリコン、ケイ素）がよく用いられます。 純粋な Si の結晶は、上図のように、4つの価電子の共有結合で構成されます。 図では平面に描かれていますが、実際には正四面体構造が重なって結晶を構成しています。 真性半導体のバンド図は上図のように表されます。 電子の取りうるエネルギーは飛び飛びで、帯のように表すことができるため、 バンド図 と呼ばれます。 バンド図は、縦軸に電子のエネルギーを取ります。|glx| ehh| yst| dpj| tbn| upi| oje| lri| ccx| nxq| ggb| tdt| asl| jtx| vaq| kfx| nro| btu| doi| zge| roo| rqu| iyf| tvy| zvk| gwm| mhm| hmy| gaf| rey| ovh| asg| xpo| azu| yop| eck| fzx| hcw| yms| kzq| tdy| bnx| yva| dcn| kjm| yin| phz| mjc| npa| tjy|