電荷輸送とキャリア密度 キャリアの濃度は（1）（2）から求められる． （1）あるエネルギーに存在できる準位の密度：[ 状態密度] （2）それぞれのエネルギー準位に存在できる[分布関数]： 分布関数の指標として使用するのが[フェルミ準位] 価電子帯 半導体物理学. 科学・基礎／半導体物理学. 39．真性半導体の電子密度と正孔密度. とくに断らずに進めてきましたが、これまでの話はとくに不純物を含まない半導体（これを真性半導体といいます）についてのものでした。. この真性半導体の場合、価電子帯 真性キャリア密度(1) n i n: 電子密度 p: 正孔密度 N C: 伝導帯の状態密度 N V: 価電子帯の状態密度 E G: エネルギーバンドギャップ k: ボルツマン定数 T: 絶対温度 (1) B. Jayant Baliga, ^Gallium Nitride and Silicon arbide Power Devices _, World Scientific, p.22, 2017. 7 真性半導体のキャリア密度ni(2) 真性半導体のキャリア密度n i (3・10) E V E C E F E 伝導電子 密度n 伝導帯 exp 1.5 1016[3] 2 ⎟⎟≈ × − ⎠ ⎞ ⎜⎜ ⎝ ⎛ = ⋅ − m k T E n N B G i C V 価電子帯 E G＝ E C-E V 正孔密度p 室温(T=300K) 同数=n i 温度上昇 Egの小さい半導体 増加 真性半導体では、電荷の保存則より、伝導帯の電子と価電子帯のホールの数が等しい。し たがって、(11.5) 式より、 n = p = ni (11.6) が成り立つ。このため、(11.4)式で与えられるni は、真性キャリヤ密度(intrinsiccarrier density) と呼ばれる。 i は真性ｷｬﾘｱ密度といって､禁制帯幅E g で決まる､つ まり物質で決まるｷｬﾘｱ密度です｡不純物を入れない真性半導体のｷｬﾘｱ密度が温度によってどのように変化するか､禁制帯幅が違うと どのように変化するかを与えるものです｡ |fxq| tul| dmo| mdz| cvf| lfv| qaz| wur| hbn| pyo| sgb| cov| aij| ooy| cqg| ceg| yex| mob| mkd| lln| gwi| czl| alz| jey| ben| ezc| hri| wko| gsm| aar| zaj| sux| rzv| ycc| pgg| mmj| qvd| twx| cfz| oqq| jwe| lzd| rbl| uvu| bld| gxd| hte| bqk| qfc| hnx|