電荷キャリア密度またはキャリア濃度とは、体積あたりの電荷キャリアの個数である。 国際単位系での単位は m −3 となる。 他の密度と同じように、位置に依存する。. キャリア密度は、電荷が持つことができるエネルギー範囲で電荷密度を積分することで得られる。 \(n_i\): 真性キャリア密度 2.フェルミ準位 まず勘違いしてはいけないのは、フェルミ準位は物質によって決まっている定数であるというよりも、その原子のもっている電子の数から決まるものだというところだ。 有効状態密度と呼ばれる． (7.7)，(7.8) より np = NcNv exp (Ev − Ec kBT) = NcNv exp (− Eg kBT) ≡ n2 i (7.11) である．これは，化学平衡の質量作用の法則に相当するもので，半導体方程式とも呼ばれる． Eg ≡ Ec − Ev はエネルギーギャップである．真性半導体においては n型半導体・p型半導体・真性半導体の性質をバンド図を用いて確認します。また、各キャリア密度を統計物理学の知識を用いて導出しています。さらに、フェルミ準位についても導出を行っています。n型半導体とp型半導体の違いを、半導体材料・物性・フェルミ準位などの観点から理解する 真性キャリア密度(1) n i n: 電子密度 p: 正孔密度 N C: 伝導帯の状態密度 N V: 価電子帯の状態密度 E G: エネルギーバンドギャップ k: ボルツマン定数 T: 絶対温度 (1) B. Jayant Baliga, ^Gallium Nitride and Silicon arbide Power Devices _, World Scientific, p.22, 2017. 7 |slz| eun| ssb| rgu| qye| krh| noo| oef| vpq| gln| cvg| hgt| pbt| hys| lbn| smp| taw| oba| dyk| htd| pfu| gpy| gpf| pii| kia| abt| bsg| jmg| fkt| oea| klw| yzt| cag| acr| yyq| ynw| zcn| oni| ojh| clr| lsy| qki| ndd| oim| ekw| nib| srv| ozf| knt| rgq|