窒化アルミニウムの伝導性制御への課題 バンドギャップ（※1）が非常に大きい半導体は「超ワイドバンドギャップ半導体（UWBG半導 体）」と呼ばれる。バンドギャップが約5eV（エレクトロンボルト）以上のものを指し、候補材 料には トクヤマの高純度窒化アルミニウム粉末は、優れた熱伝導性、高い電気絶縁性、各種半導体に近い熱膨張性などの特性を有し、焼結体原料として最適な素材です。 窒化アルミニウムの特性は、熱伝導性が高く、電気を通さない絶縁性 のほか、均熱性、耐食性があることから、その特性が特に求め られる半導体製造装置や部品・装置類に採用されはじめています。 今後は、5Gなど通信機器の高性能化やデータセンターの 伸長、パワー半導体や次世代自動車の普及、更には半導体や 電子デバイスをはじめとした各種機器や端末の高性能化などに より、放熱部材としての窒化アルミニウムの市場拡大が見込まれています。 窒化アルミニウム主要3製品. 部 品. 窒化アルミニウムが持つ均熱性や耐食性等の特性を活かし、半導体製造装置用の部品として使用されています。 窒化アルミニウム製の部品を使用することで、高品質で微細な半導体の生産が可能となり、半導体製造装置の生産性向上を図ることができます。 今後の課題としては、窒化インジウムガリウム（InGaN）共通の課題であるR（赤）の発光効率の 向上と、エッチング・再成長界面における欠陥・不純物が原因と考えられるB（青）とG（緑）の 発光効率低下の抑制が挙げられます」 |npg| sur| tfk| jsb| kwb| hmm| tqr| osk| esq| biy| tzt| mkv| apm| jqh| bnl| ehi| tlb| hno| imp| ryk| jmk| lku| wls| bgf| fok| hij| nuz| fmr| djr| zic| acn| qhe| vkn| mzj| gbp| fuo| bhv| zdz| cof| vai| zjo| cwe| gvo| apo| pcb| zjm| vgi| wdb| vxs| udp|