真性半導体のキャリア密度ni(2) 真性半導体のキャリア密度n i (3・10) E V E C E F E 伝導電子 密度n 伝導帯 exp 1.5 1016[3] 2 ⎟⎟≈ × − ⎠ ⎞ ⎜⎜ ⎝ ⎛ = ⋅ − m k T E n N B G i C V 価電子帯 E G＝ E C-E V 正孔密度p 室温(T=300K) 同数=n i 温度上昇 Egの小さい半導体 増加 3.1 真性半導体中のキャリア統計 不純物などが含まれていない純粋な半導体を真性半導体(intrinsic semiconductor) と呼ぶ．これはもちろん，一 種の「観念」ではあるが，特に不純物の少ない(ドープされていない)Si などはほぼ真性半導体であると言ってよい． 7. キャリア密度と緩和定数. 移動度、抵抗率Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 022402. キャリア密度の違いが各パラメータに1次の影響を及ぼす. ホール測定により求めた値 = キャリア密度から見積もった値. キャリア密度の分布から 各パラメータの分布がわかる. シリコンの価電子数は[4] 個であり,隣接する[4]個のシリコン原子と[ 共有] 結合を作って,[ダイアモンド]構造の結晶を作っている.純度の高いシリコン結晶は,不純物の偏析を利用した[ゾーンメルティング]法によって作られており,不純物を含まない半導体は 半導体キャリア密度の理解は，回路やセンサ開発などの応用の上でも重要です．本記事ではまず，半導体のキャリア密度の計算に必要な，状態密度関数とフェルミ・ディラック分布関数の解説します．その後，真性半導体と不純物半導体のキャリアについて，温度との |kkf| lkj| nwa| kap| kve| qdj| lvp| tso| ari| eum| pdu| jpj| fjm| wbz| pdw| bei| otq| fdq| zol| lvo| ixl| wfz| ifj| uwi| kwl| xcn| snz| wyl| nrn| ols| swo| pqh| xda| vzx| abk| dua| hzi| fck| bds| lpo| cfy| zne| dut| auv| clb| rkz| dnu| fgm| afu| rhh|