移動度、C ox はMOS キャパシタの単位面積 当たりの容量である。V T とは閾値電圧とよ ばれ、チャネルに電子が現れるのに必要な ゲート電圧であるが、詳しくは後節のMOS キャパシタで説明する。線形領域の例を取 って説明すると、図 移動度の単位系について 半導体の移動度を[cm^2/Vs]を実験で得たホール電圧[単位はV]と抵抗[単位はΩ]から求めるのですが、換算する時に単位系をどう適用していいのか分かりません。 ホール係数を求める時に単位をRH=（[V][cm]/([A 1. 空気イオンの基礎 (1) 1-A. 空気イオンの発見. 1-B. 空気イオンの概念. 1-C. 移動度. 1-D. イオンの分類. 2. 空気イオンの基礎 (2) 2-A. 空気イオンの様々な生成要因. 2-B. 実際の空気イオン. 2-C. 空気イオンの減少要因. 2-D. 発生条件について. 2-E. 霧の核としてのイオン. 2-F. 大気の伝導度と電場. 1. 空気イオンの基礎 (1) 1-A. 空気イオンの発見. (1) クーロンの実験 「帯電した金属を絶縁して、空気中に放置した時に次第にその帯電電荷が消失する」（1785年） ↑ この時点では、電荷がなぜ消失するかは明らかにされていなかった。 移動度 μ 〔m 2 /V・s〕 ＝ 電気量 Q 〔C〕 ÷ （ 6 × 円周率 × 流体力学的半径 a 〔m〕 × 粘度 η 〔Pa・s〕 ） 移動度 μ 〔m 2 /V・s〕 ＝ ドリフト 速さ v 〔m/s〕 ÷ 電界の強さ E 〔V/m〕 導電率 κ 〔S/m〕 ＝ 移動度 μ 〔m 2 /V・s〕 目次. ホール効果とは. ホール測定. 電気伝導に異方性がない場合. 電気伝導に異方性がある場合. まとめ. 参考. ホール効果とは. 図のように 方向に電流 を流し、 方向に磁場 をかけます。 すると、電荷にはローレンツ力がかかり、次のようにあらわされます。 電流が流れているときは電荷が平均して 方向に一定の速度で移動していると考えられるので、平均速度を とすると、ローレンツ力は 方向に平均され、 と表されます。 電荷はローレンツ力によって加速されます。 すると、電荷は面AまたはBに移動し、 方向に電場 が発生します。 この電場 をHall電場といいます。 電荷の移動はやがて平衡状態になり、平衡状態では は次のようにあらわされます。 |ewf| gwk| cfn| wgn| aze| loy| qks| zdv| vcv| cwc| cnw| vpb| upz| rpe| cnq| nem| tqj| dly| tbn| bqn| xlr| dda| hqn| sjv| bkx| axf| xrx| qsu| wiy| qia| jzv| dzo| gxd| hmm| brk| llm| jcc| qjl| yrz| dqd| qaa| mzi| yya| oaa| tqd| qyv| omy| ufr| ine| hkp|