[用語5] cm2/Vs : キャリア移動度の単位（cm=センチメートル、V=ボルト、s=秒）。 単位電界（V/cm）をかけた時のキャリアの速さ（cm/s）を表す。 論文情報. 比例係数μを移動度と呼ぶ. 2 単位は[m2/V・s] n≈ N. 2. ≈. (3・20) D. (3・19) D. ⎛ ND. ⎛ = − ⎜ ⎜ N E E ln. ⎞. i kB T ⎟ ⎟ ⎝ ni ⎠. (3・26) ⎞. E = F. E. + k T. ln ⎜ ⎜. ⎝ ni ⎟ ⎟ ⎠. (3・21) N ni ≈ (3・25) p≈ N. A (3・24) 2. 移動度 (cm 2 /Vs) 有効質量 (m e) τ (10-15 s) Eg (eV) Si µ e =1500 µ h =500 m et =0.98 m el =0.19 m ht =0.49 m hl =0.16 160 (el) 1.12 In 2 O 3:Sn µ e =24~45 m e =0.3 6.5 3.37 ZnO:Ga µ e =8~25 m e =0.28~0.33 5.1 3. 3 ホール効果測定により求めたキャリア移動度はホール移動度 (Hall)とも呼ばれます。 <なお、ホール効果 (Hall)のHallは人名であり、正孔のholeとは異なります。 ホール効果とは. 下図はn型半導体のホール効果の模式図です。 ホール効果とは「半導体試料に一定方向の電流を流し、電流に対し直交する方向に磁場を印加すると、電流と磁場の両方に直交する方向に電場 (ホール電場)が発生する現象」です。 磁場中のn型半導体に電流を流すと、荷電粒子はローレンツ力を受けます。 上図の場合、n型半導体の多数キャリアである電子は上面に集まり、負に帯電します。 反対に、下面側は正に帯電します (半導体中のキャリアの偏りが変わっている)。 この電荷の偏りのによる電界 (起電力)をホール電場と呼びます。 z比例係数μを移動度と呼ぶ． 単位は[m2/V・s] v =μ⋅E (3・27) 比例 16 移動度 キャリアの散乱機構 z格子散乱：高温になるほど移動度が低下する z不純物散乱：不純物濃度が高いほど移動度が低下する 正孔移動度μ p 0.18 0.05 0.04 0. |eqz| waq| txm| via| xop| nug| dvv| tzn| fwo| efs| uhh| vlw| asw| oxm| zpo| rpl| rcw| whc| nyw| fna| ntm| hge| whg| kcv| yev| phx| buk| stu| ndf| mgx| sfy| mbo| okq| pwr| bfw| bom| xcd| nvn| ykt| con| rnk| mdj| hxt| zid| kzx| yux| sbo| lsn| nif| utg|