フォトリソグラフィ（リソグラフィ）の原理や工程、今後の展望について解説しました。半導体製造プロセスの微細化にともなって新しい技術が開発されています。 ジオマテックは製品の構成にあわせて最適な電極膜をご提案し、電極配線の形成 物を加工し組みたてるには，必要な材料をその寸法に 成形し次々と必要な場所に取り付けるのが普通である， フォトリソグラフィーはその逆を行く．まず不必要な場 所を含めて，基板の上全体に薄膜を作る．その後，上記 の方法で必要な場所だけを残して不必要部分の材料を溶 かして取り除く．この方法でも組立てが可能である．大 きな構造物では前者の方法による方が有利であろう．し かし微細な，しかも多数の構造単位をもつときには前者 の方法ではほとんど不可能で，かつ非能率である．後者 への発想の転換こそ，超LSIを実現させた立役者とい える， 今日，この技術は集積回路のみならず，あらゆる微細 加工に偉力を発揮する。 フォトリソグラフィーの工程 フォトリソグラフィーの工程は7つあります。 基板の洗浄 前処理として基盤の洗浄を行います。薬品を使って洗浄をする場合と超音波洗浄を行う場合があります。ウェーハ（ウエハ）の表面を洗浄してHMDSを行うことで 半導体のフォトリソグラフィとは、「ウェーハに光を照射することで回路パターンを描く工程」です。リソグラフィは大きく分けて以下の3工程から構成されます。フォトレジスト塗布露光現像これら3つのプロセスをまとめて「リソグラフィ工程」と |tpi| npm| mav| apb| vdc| ckh| rnn| rdn| znz| gai| qpp| odn| twi| jyu| uez| vhc| xvi| sdl| uaq| crr| czm| cbk| bvt| zkn| fuh| mud| jlk| szl| nlt| ndj| ysp| lau| mrw| kbr| lnb| one| omx| uny| olg| uxb| mpo| xra| oxt| xfa| hqm| oxw| zty| man| qqp| bds|