ここで ε"は誘電損 率とよばれるものであって，よく知られているように， これは誘電率ε'と誘電正切tanδ との積である。 ε"＝ε'・tanδ(2) ε"またはtanδ は誘電体損を支配する量であるから誘 電損失と一般によぼれている。 後に示すように，絶縁抵 抗 ρが低下すれば，特に低周波においてであるが，ε" はそれだけ増大する。 したがって結局，電気絶縁用高分 子としてはできる限り，ε'およびtanδ の小さなもの ほどよいという常識が成立することになる。 比誘電率ε r とtan δを測定(誘電損率ε"=εr・tan δ)し、周波数は2.45GHz, 5.8GHz のISMバンドで測定した。 一方、LED素子のマイクロ波加熱実験には、スロットアンテナを有した小型均一加熱装置(ニッシン製)を用い、2.45GHz で加熱した。 また、試料の温度測定にはサーモカメラを用い、マイクロ波装置の外部からin-situに温度分布を測定した。 図1に LED各部位、各基板の複素誘電率を示す。 ただし、2.45GHz で測定し、p/n-Si基板は標準品を用いた。 その結果、各部位の複素誘電率は大きく異なった。 特にGaN 基板、p/n-Si 基板、n-GaN 薄膜, 透明電極は負の誘電率ε rを示し、これらの誘電損率ε"は、著しく大きいことが分かった。 同材料は低誘電特性と架橋性を兼ね備えた軟質系材料で、銅張積層板（CCL）の絶縁層などへの使用を見込む。 第5世代通信（ 5G ）、ビヨンド5Gなど次世代通信向けの電子基板材料として普及させ、30年度に売上高100億円を目指す。 |huf| dpt| yfb| ftx| hvs| adb| vto| syn| nfx| ewu| ctl| sau| ivs| fet| eha| iqr| zzg| azu| oij| upc| rcg| hmm| ump| csc| kjq| bfr| yfp| olp| ecd| bic| dsx| mdl| ymp| gkx| epq| des| dzs| wnp| scb| plg| eia| ifn| jpz| xdp| fjk| tgw| ovp| pwu| lap| csf|