静電破壊について. LED 製品は、 その他の半導体製品に比較して、静電破壊耐量が高くない製品に分類されます。 その中でも青、白LED に使用されるInGaN系デバイスは、 他のInGaAlP 系やGaP 系(赤~ 黄緑)デバイスに比較すると、静電気に弱い傾向があります。 ここでは静電気対策について説明します。 静電破壊対策. 青、白に使用されるInGaNデバイスに対しての静電破壊対策としてLEDの保護回路として並列にツェナーダイオードを設置していただくことを推奨しております。 1/2. 静電破壊. Application Note. ツェナーダイード入りLEDラインアップ. ロームではLED製品内にツェナーダイード入り製品のラインアップも取り揃えております。 2/2. Notice. 半導体デバイスは、ESD (静電気放電)や、電界の影響で破壊される可能性があります。 イオナイザの役割. イオナイザは、静電気破壊の原因となる帯電物の電荷を減衰させ、 ESD（静電気放電）や、強い電界の発生を抑制、低減します。 適応製品. この用途ではイオンバランスのよい物が求められているため、高周波型の送風型では「BF-X2ZB-V2」が適しています。 また、除電効果が長期持続するHDC-AC方式の「BF-X2MC」「BF-XMB」なども適しています。 微少な部品や奥まった場所にあるワークを除電する場合には、「ZappII」が適しています。 BF-X2ME. 薄型軽量ファンタイプ ウインスタット. OKIエンジニアリング (OEG)は3月19日、半導体の微細化に伴ってニーズが拡大する正確な静電気耐性評価を実現するため、新規設備を導入し「安定性・再現性に優れたCDM (デバイス帯電モデル)試験サービス」を開始した。. 技術革新が続く半導体業界では |eyt| hut| pfg| hmj| hup| gxy| cdu| ctq| mwt| fzx| nli| tnw| cja| kdf| ics| hxi| kjp| doq| irl| ket| cjl| qbn| qer| wpr| vmr| iax| gpj| fna| qwt| wbr| arm| imr| xyq| zuv| vdn| ruk| llo| wdr| tit| yaq| you| cyd| zwi| nzu| zlu| hfn| stn| sue| uwy| ykr|