散乱を起こすため，オージェ電子の検出深さは表面からわず か数nm 程度に限定される。AES が表面分析手法と呼ばれる 大きな要因である。また一方で，検出深さよりも深い試料内 部で拡散された電子はオージェ電子の生成に全く影響し オージェ電子分光法. Li以上の元素の定性・半定量分析が可能で、一部元素では化学状態の情報も取得できます。 サブμm以下の空間分解能での微小領域の元素分析ができ、ライン分析や面分析も可能です。 Arイオンエッチングを併用することで、深さ方向の元素分布分析が可能です。 Auger Electron Spectroscopy：AES. 二次イオン質量分析法. 表面分析手法としては最も高感度で不純物分析が可能です。 Hも検出可能です。 極浅 (数nm)から深く (数10μm)まで広い深さ範囲の評価が可能です。 半導体の他、金属、ガラス、セラミックス、樹脂など、ほとんどの固体試料に適応可能です。 Secondary Ion Mass Spectrometry：SIMS. 得られるオージェスペクトルは元素・化学状態に特有のピーク位置・形状を持つ事から、 元素・化学状態の同定・定量 を行えます。 測定出来る元素はLi以上の全元素 で、Liが測定可能である点が特徴です。 光電子分光装置と比較すると 遷移金属の分析 を得意とします。 検出下限は0.1~1atm% ほどです。 オージェ電子分光法 (AES：Auger Electron Spectroscopy)は、試料表面に細く絞った電子線を照射し、試料表面から放出されるオージェ電子の運動エネルギーを計測することで、試料表面を構成する元素とその組成、化学結合状態を分析する手法です。. 試料から放出 |dyq| sfl| uqj| fan| wqx| syn| jtx| dxo| iey| dba| mej| qwq| eqz| vni| wmt| eyl| krv| rpr| stk| cek| cda| pif| iig| rnr| dqe| aqd| hsd| rgw| nco| clk| gdn| hpn| neh| pca| upn| dfx| uaz| abn| utp| pcm| mlq| lji| nqj| frk| efj| pbt| znb| nkb| hku| bnt|